锐克
特种陶瓷
RCSC
致力于氮化硅陶瓷及碳化硅的生产、研发、销售及相关的技术咨询服务
Committed to the production, research and development, sales and related technical consulting services of silicon nitride ceramics and cermet materials.
测试片
陶瓷基片主要规格
| 规格（mm） | ||||||
| 长*宽 | 55*55 | 88*88 | 100*100 | 110*110 | 114.3*114.3 | |
| 厚度 | 0.172，0.175，0.20，0.24，0.25，0.32，0.4，0.50，1...... | |||||
注：锐克特陶可根据用户需求定制开发
氮化硅陶瓷基片主要材料性能特征表
| 材料 编号 | 密度 （g/cm³） | 硬度 Hv （Gpa） | 抗弯强度 （Mpa） | 断裂韧性 （Mpa m1/2） | 热导 w/(m.k) | 杨氏模量 （Gpa） | 热膨胀系数 (x10-6/K) | 体积电阻率 （Ω.cm） | 抗击穿电压 （Kv） |
| RCHS05 | 3.25 | 19~21 | 600~800 | 6~7 | 85~100 | 300~320 | 3 | ≥1014 | >15 |
| RCHS06 | 3.29 | 18~20 | 650~850 | 6~7 | 70~90 | 300~320 | 3 | ≥1014 | >15 |
陶瓷基片材料物理力学性能比对表：
| 基片材料 | 氮化硅（高导热) | 氮化铝 | 氧化铝 |
| 强度/MPa | 600-800 | 350 | 400 |
| 断裂韧性/（Mpa m1/2） | 6.0-8.0 | 2.7 | 3.0 |
| 热导W/（m. k） | 80-100 | 150 | 20-30 |
| 电流承载能力/A | ≥300 | 100-300 | ≤100 |
| 热阻/（℃/w） | ≤0.5 (0.5mCu) | ≤0.5 (0.3mmCu) | ≥1.0 (0.3mmCu) |
| 可靠性*/次 | ≥5000 | 200 | 300 |
| 使用成本 | 高 | 较高 | 低 |
注：*可靠性测试指在-40～+150℃条件下循环，材料不发生破坏的次数
锐克特陶氮化硅陶瓷基片采用热压烧结工艺，确保成品更具有致密性，产品的一致性、平面度、强度、韧性、导热率等指标更优。
产品特性：
1、强度、韧性是氮化铝陶瓷基片的 2-3 倍;
2、与氮化镓、碳化硅及硅具有更好的热膨胀系数匹配能力，可覆铜更厚而不产生瓷裂现象;
3、导热率高，介电强度高，可靠性好。
氮化硅陶瓷基片具有高强度、高导热、高韧性的特点，可用湿法刻蚀工艺在表面制作电路，经表面镀覆后，可制成用于高可靠性电子基片模块封装的基片材料，产品在功率型发射器、光伏器件，IGBT模块，功率型晶闸管、谐振器基座、半导体封装载板等大功率光电及半导体器件领域有广泛用途。
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| 功率型发射器 | IGBT模块 |
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| 半导体封装 | 功率型晶闸管 |
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